Transistor de puissance canal N Infineon 120 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 5

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Code commande RS:
166-0985
Référence fabricant:
IPP023N10N5AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Transistor de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS 5

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

168nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

15.95mm

Normes/homologations

RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Longueur

10.36mm

Largeur

4.57mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
MY

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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