MOSFET P Infineon 7.2 A 20 V Enrichissement, 6 broches, PQFN HEXFET

Code commande RS:: 130-1018
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-993
Référence fabricant:: IRLHS2242TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 7.2 A 20 V Enrichissement, 6 broches, PQFN HEXFET

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 130-1018
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-993
Référence fabricant:: IRLHS2242TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	7.2A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	PQFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	53mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-12V, +12V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	12nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	9.6W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	950μm
	Largeur	2.1mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 7.2A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Série HEXFET
	Type de Boitier PQFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 53mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 9.6W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 950μm
	Largeur 2.1mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2.1mm
	Standard automobile Non

IRLHS2242PbF, HEXFET Power MOSFET P-Channel -40V

Infineon HEXFET Series MOSFET, 7,2A Maximum Continuous Drain Current, 9,6W Maximum Power Dissipation - IRLHS2242TRPBF

Ce MOSFET pour montage en surface convient aux applications qui exigent une commutation à haut rendement. Sa faible résistance à l'enclenchement, associée à la technologie HEXFET, contribue à une perte de puissance minimale, ce qui la rend appropriée pour les tâches de gestion de la puissance au sein de divers circuits électroniques. Avec une température maximale allant de -55°C à +150°C, il fonctionne efficacement dans des conditions difficiles.

Caractéristiques et avantages

• Le faible Rds(on) garantit un rendement élevé et une réduction de la production de chaleur

• Capable de supporter un courant de vidange continu de 7,2A pour des performances robustes

• Le boîtier DFN compact à 6 broches facilite l'intégration dans les espaces restreints

• Le fonctionnement en mode amélioration permet des options de conception polyvalentes

• Offre une excellente résistance thermique pour une meilleure longévité

Applications

• Utilisé pour la commutation du système/de la charge dans les systèmes d'automatisation

• Idéal pour la commutation de charge et de décharge dans la gestion des batteries

• Convient aux appareils électroniques compacts nécessitant un rendement élevé

• Utilisés dans les systèmes de contrôle électrique et les circuits de gestion de l'énergie

Quelle est la signification de la caractéristique Rds(on) faible ?

La caractéristique de faible Rds(on) permet de réduire les pertes par conduction, d'améliorer l'efficacité globale et de maintenir des températures plus basses pendant le fonctionnement, ce qui est vital pour les applications à haute puissance.

Comment ce composant gère-t-il la performance thermique ?

Il a une température maximale de +150°C, ainsi qu'une faible résistance thermique pour améliorer la dissipation de la chaleur, ce qui garantit un fonctionnement stable dans des conditions de charge élevée.

Peut-il s'adapter à des environnements opérationnels variés ?

Oui, il fonctionne efficacement dans une plage de températures allant de -55°C à +150°C, ce qui le rend adapté à des applications rigoureuses dans divers climats.

Convient-il pour les applications à haute fréquence ?

La conception du MOSFET permet une commutation à grande vitesse, ce qui le rend efficace pour les applications à haute fréquence dans l'électronique contemporaine.

Quelles sont les exigences en matière de montage pour une performance optimale ?

Pour obtenir les meilleurs résultats, il doit être monté sur un circuit imprimé doté de fonctions de gestion thermique adéquates afin d'optimiser la dissipation de la chaleur et les connexions électriques.