MOSFET canal N Vishay 5.2 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SiHF620S
- Code commande RS:
- 145-1709
- Référence fabricant:
- SIHF620S-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
28,55 €
HT
34,25 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 08 mars 2027
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,571 € | 28,55 € |
| 100 - 200 | 0,536 € | 26,80 € |
| 250 - 450 | 0,485 € | 24,25 € |
| 500 - 1200 | 0,456 € | 22,80 € |
| 1250 + | 0,428 € | 21,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-1709
- Référence fabricant:
- SIHF620S-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | SiHF620S | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 800mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série SiHF620S | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 800mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 9.65mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
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