MOSFET canal N Vishay 5.2 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SiHF620S

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

28,55 €

HT

34,25 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 500,571 €28,55 €
100 - 2000,536 €26,80 €
250 - 4500,485 €24,25 €
500 - 12000,456 €22,80 €
1250 +0,428 €21,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
145-1709
Référence fabricant:
SIHF620S-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

5.2A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

SiHF620S

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

800mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Tension directe Vf

1.8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

9.65mm

Hauteur

4.83mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.67mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.