MOSFET canal N Infineon 21 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS CP

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Code commande RS:
145-8593
Référence fabricant:
IPW60R165CPFKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS CP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

192W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

39nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

16.13mm

Hauteur

21.1mm

Largeur

5.21mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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