MOSFET canal N Infineon 17 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 165-5600
- Référence fabricant:
- IRLR024NTRLPBF
- Marque:
- Infineon
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- 165-5600
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- IRLR024NTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16V, +16V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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