MOSFET automobile canal N Infineon 30 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET AEC-Q101

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Code commande RS:
165-5835
Référence fabricant:
IRFR4105ZTRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET automobile

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

24.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

Automotive (Q101)

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximum de 30A, dissipation de puissance maximum de 48W - IRFR4105ZTRPBF


Ce MOSFET est conçu pour offrir un rendement élevé et une grande fiabilité dans une grande variété d'applications électroniques. Il est essentiel pour la régulation et la commutation de la tension et répond aux besoins des secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de l'électrotechnique grâce à ses performances robustes. La faible résistance à l'enclenchement du dispositif et sa capacité à gérer des courants de drainage continus élevés permettent son utilisation dans des environnements exigeants.

Caractéristiques et avantages


• Le courant de vidange continu maximum de 30A garantit des performances élevées

• Fonctionne à une tension drain-source maximale de 55V pour les applications à haute tension

• Le faible RDS(on) de 24,5mΩ améliore l'efficacité énergétique

• Résiste aux variations de température jusqu'à +175°C

• La technologie du mode amélioré assure un fonctionnement commuté fiable

• Le boîtier DPAK TO-252 permet un montage en surface aisé

Applications


• Systèmes de gestion de l'énergie pour une régulation efficace de la tension

• Conducteurs de moteurs et convertisseurs de puissance dans l'automatisation

• Alimentations à découpage et onduleurs

• Electronique grand public nécessitant un contrôle efficace de la puissance

Quelle est la tension maximale du seuil de la porte ?


La tension de seuil maximale de la grille est de 4V, ce qui permet un contrôle optimal de la grille dans les applications de commutation.

Peut-il supporter des températures élevées ?


Oui, ce MOSFET fonctionne efficacement à des températures allant de -55°C à +175°C, ce qui convient aux environnements difficiles.

Ce MOSFET peut-il être monté en surface ?


Oui, il est livré dans un boîtier DPAK TO-252 conçu pour une intégration directe en surface.

Comment se situe-t-il par rapport aux autres MOSFET en termes de dissipation de puissance ?


La capacité maximale de dissipation d'énergie est de 48 W, ce qui lui permet de gérer efficacement des charges importantes.

Quels sont les types d'applications les plus compatibles avec ce composant ?


Il est particulièrement efficace dans les applications nécessitant un rendement élevé, notamment la commande de moteurs, les convertisseurs de puissance et les systèmes électriques dans le domaine de l'automatisation.

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