MOSFET canal N Infineon 30 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 165-5971
Référence fabricant:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 30 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 622,50 €

1 947,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,649 €	1 622,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5971
Référence fabricant:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	30A
	Tension Drain Source maximum Vds	75V
	Série	OptiMOS
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	26mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	136W
	Tension directe Vf	0.9V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	56nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.73mm
	Largeur	6.22mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	2.41mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 30A
	Tension Drain Source maximum Vds 75V
	Série OptiMOS
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 136W
	Tension directe Vf 0.9V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.73mm
	Largeur 6.22mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 2.41mm
	Standard automobile AEC-Q101

IPD30N08S2L-21, OptiMOS Power-Transistor

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 75 V, courant de drain continu maximal de 30 A - IPD30N08S2L21ATMA1

Ce MOSFET est un transistor de commutation de puissance conçu pour les systèmes électroniques exigeants, fournissant une conduction contrôlée entre le drain et la source dans des configurations en mode d'amélioration à canal N. Il est destiné à l'assemblage en surface dans les conceptions d'alimentation compactes et à une utilisation où des températures de fonctionnement élevées et une qualification de qualité automobile sont requises.

Caractéristiques et avantages :

• Tension de drain de 75 V permettant une commutation haute tension robuste
• Courant continu de 30 A prenant en charge une charge importante
• Faible Rds(on) de 26 mΩ réduisant les pertes de conduction
• Capacité de dissipation de 136 W facilitant la marge thermique dans les conceptions
• Charge de grille typique de 56 nC améliorant le contrôle de la vitesse de commutation
• Tolérance de grille de ±20 V permettant des schémas de commande de grille flexibles

Applications

• Convient aux étages de convertisseur c.c.-c.c. automobile
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec les circuits avant d'inverseur à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les convertisseurs de point de charge à haut rendement
• Convient à la gestion de l'alimentation au niveau de la carte dans les véhicules

Quel type d'emballage les concepteurs doivent-ils attendre pour l'agencement des circuits imprimés?

Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-252 destiné au montage en surface, ce qui affecte la conception du modèle de terre et du thermocouple.

Comment le dispositif gère-t-il les conditions ambiantes extrêmes?

Il est conçu pour fonctionner sur une large plage de températures allant de -55 °C à 175 °C, ce qui lui permet de s'adapter aux environnements à haute température.

Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour les circuits de commande?

La valeur nominale maximale de la source de grille est de ±20 V

les circuits d'entraînement de grille doivent limiter les excursions dans cette plage et tenir compte de la charge de grille typique de 56 nC lors de la dimensionnement des drivers.

Y a-t-il des contraintes de performance thermique spécifiques à prévoir?

Avec une dissipation de puissance maximale de 136 W, la gestion thermique doit prendre en compte les chemins de conduction et le dissipateur thermique au niveau de la carte pour maintenir les limites de jonction.