MOSFET canal N Infineon 34 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

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Code commande RS:
165-6701
Référence fabricant:
IPP320N20N3GXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

34A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

OptiMOS 3

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

32mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

136W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.57mm

Longueur

10.36mm

Hauteur

15.95mm

Standard automobile

Non

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 34A Maximum Continuous Drain Current, 136W Maximum Power Dissipation - IPP320N20N3GXKSA1


Ce MOSFET offre des performances élevées pour diverses applications électroniques. Avec un courant de drain continu pouvant atteindre 34A et une tension drain-source de 200V, il constitue une solution d'alimentation efficace. Le fonctionnement en mode d'amélioration garantit des performances fiables dans les circuits nécessitant une commutation et une rectification synchrone.

Caractéristiques et avantages


• Conception à canal N pour une conversion de puissance efficace

• La faible résistance à l'enclenchement réduit la perte d'énergie

• Tolérance élevée à la température de fonctionnement pour les conditions extrêmes

• Compatible avec les applications de commutation à haute fréquence

• Sans plomb et conforme à la directive RoHS pour une utilisation respectueuse de l'environnement

• Les matériaux sans halogène renforcent la sécurité et la conformité

Applications


• Utilisé dans les alimentations pour l'automatisation industrielle

• Convient au redressement synchrone dans les convertisseurs DC-DC

• Applicable aux systèmes de recharge des véhicules électriques

• Idéal pour les systèmes de gestion des batteries dans l'électronique grand public

• Utilisé dans les onduleurs d'énergie renouvelable pour un transfert d'énergie efficace

Quelle est la plage de température maximale de fonctionnement ?


Le composant fonctionne efficacement entre -55°C et +175°C, ce qui le rend adapté à diverses conditions environnementales.

Peut-il gérer des courants de drainage élevés ?


Oui, il prend en charge des courants de vidange continus allant jusqu'à 34 A, ce qui convient aux applications à forte puissance.

Quels sont les avantages de la fonction de faible RDS(on) ?


La faible résistance à l'enclenchement réduit considérablement les pertes d'énergie pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité des applications de commutation à haute puissance.

Convient-il aux applications automobiles ?


Grâce à sa température élevée et à sa faible résistance à l'enclenchement, il convient aux applications automobiles et offre des performances dans des conditions difficiles.

Comment assurer une bonne dissipation de la chaleur lors de l'installation ?


Pour une gestion thermique efficace, assurez-vous que le MOSFET est monté sur un dissipateur thermique ou un circuit imprimé avec une surface de cuivre suffisante pour aider à dissiper la chaleur générée pendant le fonctionnement.

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