MOSFET P Infineon 70 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS P

Code commande RS:: 165-6872
Référence fabricant:: IPD042P03L3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 70 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS P

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 545,00 €

1 855,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,618 €	1 545,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-6872
Référence fabricant:: IPD042P03L3GATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	70A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Série	OptiMOS P
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	6.8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Tension directe Vf	-1.1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	131nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.73mm
	Largeur	5.97mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	2.41mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 70A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Série OptiMOS P
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Tension directe Vf -1.1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 131nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.73mm
	Largeur 5.97mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 2.41mm
	Standard automobile Non

IPD042P03L3 G, OptiMOS P3 Power-Transistor

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET OptiMOS série P d'Infineon, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 70 A - IPD042P03L3GATMA1

Ce MOSFET est un transistor de puissance à mode d'enrichissement à canal P conçu pour les applications à montage en surface où une gestion de courant élevé et une plage de fonctionnement thermique robuste sont nécessaires. Il fonctionne comme un dispositif de commutation hautes performances dans les circuits de conversion de puissance et de contrôle de charge, offrant une faible perte de conduction et un comportement de commande de grille contrôlé pour les systèmes électroniques exigeants.

Caractéristiques et avantages :

• Le RDS(on) de 6,8 mΩ minimise les pertes de conduction pour un meilleur rendement
• Le courant de drain continu de 70 A prend en charge la commutation de charges lourdes
• La dissipation de puissance de 150 W permet une gestion thermique soutenue
• La charge de grille typique de 131 nC permet un comportement de commutation prévisible
• La plage de fonctionnement de -55 à 175 °C permet des déploiements à haute température
• La valeur nominale VGS ±20 V garantit la flexibilité de la tension de l'entraînement de grille

Applications

• Convient au redressement synchrone dans les convertisseurs DC-DC
• Idéal pour la commutation de charges à courant élevé dans les alimentations
• Utilisé avec les variateurs de moteur nécessitant une faible résistance de conduction
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et les circuits de protection
• Adapté aux modules d'alimentation à montage en surface haute densité

Quel type de boîtier dois-je anticiper pour prendre en compte la disposition des circuits imprimés?

Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-252 à montage en surface avec trois broches, ce qui permet un placement compact de la carte et un acheminement par thermocouple.

Comment le dispositif gère-t-il les tensions de commande de grille pendant le fonctionnement?

La tension maximale de la source de la grille est de ±20 V, de sorte que les drivers de grille doivent être spécifiés dans cette limite pour éviter les surcharges.

Quelle est la tension maximale que ce transistor peut bloquer?

Il est évalué pour une tension maximale drain-source de 30 V, ce qui définit son adéquation aux systèmes d'alimentation basse tension.

Existe-t-il des limites sur la tension directe pendant la conduction?

La tension directe typique est de -1,1 V, ce qui affecte les calculs de perte de conduction dans la conception des circuits.