MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, IPAK HEXFET
- Code commande RS:
- 165-7585
- Référence fabricant:
- IRFU3607PBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 75 unités)*
76,43 €
HT
91,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 2 175 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 1,019 € | 76,43 € |
| 150 - 300 | 0,991 € | 74,33 € |
| 375 - 675 | 0,965 € | 72,38 € |
| 750 - 1425 | 0,94 € | 70,50 € |
| 1500 + | 0,917 € | 68,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-7585
- Référence fabricant:
- IRFU3607PBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | IPAK | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier IPAK | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MX
Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
Transistors MOSFET, Infineon
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 55 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 160 A 30 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 9.4 A 100 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 33 A 150 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement IPAK HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement IPAK HEXFET
