MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, IPAK HEXFET

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Code commande RS:
688-7134
Numéro d'article Distrelec:
304-43-455
Référence fabricant:
IRFU3607PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

HEXFET

Type de Boitier

IPAK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

2.39mm

Normes/homologations

No

Hauteur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon


La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon


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