MOSFET canal N DiodesZetex 500 mA 12 V Enrichissement, 3 broches, X2-DFN DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
165-8375
Référence fabricant:
DMN1260UFA-7B
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

500mA

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

X2-DFN

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.96nC

Dissipation de puissance maximum Pd

360mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8, +8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

0.85mm

Normes/homologations

No

Longueur

0.65mm

Hauteur

0.35mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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