MOSFET DiodesZetex canal N, X1-DFN1006 407 mA 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 182-7128
- Référence fabricant:
- DMN62D1LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 182-7128
- Référence fabricant:
- DMN62D1LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant dexcellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Protégé contre les décharges électrostatiques
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Application
Commutateur de charge
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Protégé contre les décharges électrostatiques
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Application
Commutateur de charge
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 407 mA |
Tension Drain Source maximum | 60 V |
Type de boîtier | X1-DFN1006 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 3 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.6V |
Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | ±20 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Charge de Grille type @ Vgs | 0,45 nC @ 4,5 V |
Longueur | 1.07mm |
Largeur | 0.67mm |
Hauteur | 0.48mm |
Tension directe de la diode | 1.3V |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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