MOSFET canal N DiodesZetex 407 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7128
- Référence fabricant:
- DMN62D1LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
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| 100 + | 0,139 € | 13,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7128
- Référence fabricant:
- DMN62D1LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 407mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | X1-DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.45nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 480μm | |
| Longueur | 1.07mm | |
| Largeur | 670μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 407mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier X1-DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.45nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 480μm | ||
Longueur 1.07mm | ||
Largeur 670μm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Protégé contre les décharges électrostatiques
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Application
Commutateur de charge
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