MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

2 381,00 €

HT

2 857,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 04 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +2,381 €2 381,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
168-7458
Référence fabricant:
STB24NM60N
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.