MOSFET N STMicroelectronics 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7
- Code commande RS:
- 168-8959
- Référence fabricant:
- STP130N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
53,05 €
HT
63,65 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 800 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,061 € | 53,05 € |
| 100 - 200 | 1,034 € | 51,70 € |
| 250 + | 1,008 € | 50,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-8959
- Référence fabricant:
- STP130N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | STripFET F7 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 9.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série STripFET F7 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 9.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 80 A 60 V Enrichissement TO-220 STripFET F7
- MOSFET N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement TO-220 STripFET F7
- MOSFET N STMicroelectronics 140 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET N STMicroelectronics 90 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET N STMicroelectronics 80 A 120 V Enrichissement TO-220 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement TO-263 STripFET F7
- MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement TO-220 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 90 A 80 V Enrichissement TO-220 STripFET H7
