MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 80 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 906-4684
- Référence fabricant:
- STP130N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,44 €
HT
6,53 €
TTC
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,088 € | 5,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-4684
- Référence fabricant:
- STP130N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 80 A | |
| Tension Drain Source maximum | 60 V | |
| Série | STripFET F7 | |
| Type de boîtier | A-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 5 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum | 160 W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 13,6 nC @ 10 V | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Hauteur | 9.15mm | |
| Tension directe de la diode | 1.2V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 80 A | ||
Tension Drain Source maximum 60 V | ||
Série STripFET F7 | ||
Type de boîtier A-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 5 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum 160 W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Matériau du transistor Si | ||
Largeur 4.6mm | ||
Charge de Grille type @ Vgs 13,6 nC @ 10 V | ||
Longueur 10.4mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Hauteur 9.15mm | ||
Tension directe de la diode 1.2V | ||
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
