MOSFET onsemi canal N, A-220 44 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé.

700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 30 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Perte de commutation plus faible
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Résistance de grille interne : 7 ohms
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
Garantie pour le brasage à la vague
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