MOSFET canal N Vishay 4.3 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

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Code commande RS:
178-0901
Référence fabricant:
IRFR110PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4.3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

IRFR

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

540mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

2.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.3nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.73mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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