MOSFET P Vishay 5.1 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

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Code commande RS:
812-0632
Référence fabricant:
IRFR9014TRPBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

IRFR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

500mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Tension directe Vf

-5.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.38mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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