Références fabricant

MOSFET canal N Vishay 4.8 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

Code commande RS:: 812-0629
Référence fabricant:: IRFR220TRPBF
Marque:: Vishay

MOSFET canal N Vishay 4.8 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

1,98 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 +	0,198 €	1,98 €

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Code commande RS:: 812-0629
Référence fabricant:: IRFR220TRPBF
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	4.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	IRFR
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	800mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	14nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	42W
	Tension directe Vf	1.8V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.22mm
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.38mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 4.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier TO-252
	Série IRFR
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 800mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 42W
	Tension directe Vf 1.8V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.22mm
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.38mm
	Standard automobile Non

IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220, Power MOSFET

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

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