MOSFET P Vishay 2.7 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

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Code commande RS:
812-0650
Référence fabricant:
IRFR9214TRPBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2.7A

Tension Drain Source maximum Vds

250V

Type de Boitier

TO-252

Série

IRFR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-5.8V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.38mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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