MOSFET 2 canal Type N, Type P Double Vishay Siliconix 30 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3893P
- Référence fabricant:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total 100 unités (conditionné une bande continue)*
105,40 €
HT
126,50 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 490 | 1,054 € |
| 500 - 990 | 1,026 € |
| 1000 + | 1,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3893P
- Référence fabricant:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 34W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 34W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5.99mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux N et P) est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 40 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 17 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 34 W et d'un courant de drain continu de 30 A. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité. Il est applicable dans l'industrie automobile.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 30 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 16 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 75 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N Double Vishay Siliconix 6 A 40 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101