MOSFET N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3903P
Référence fabricant:
SQJ872EP-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

24.5A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Dissipation de puissance maximum Pd

55W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.07mm

Longueur

5.99mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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