MOSFET canal N onsemi 240 A 100 V Enrichissement, 8 broches, H-PSOF FDBL AEC-Q101

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Code commande RS:
178-4230
Référence fabricant:
FDBL86066-F085
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

240A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

FDBL

Type de Boitier

H-PSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.25V

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

11.78mm

Longueur

9.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
PH
Caractéristiques

RDS(ON) typique = 3,3 mΩ à VGS = 10 V, ID = 80 A

Qg (Tot) typique = 47 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A

Capacité UIS

Applications

Commande de moteurs automobiles

Gestion de groupe propulseur

Drivers de solénoïde et de moteur

Direction électronique

Démarreur/alternateur intégré

Architectures d'alimentation distribuée et VRM

Commutateur principal pour les systèmes 12 V

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