MOSFET canal N onsemi 49 A 650 V Enrichissement, 8 broches, H-PSOF NTBL050N65S

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Code commande RS:
221-6705
Référence fabricant:
NTBL050N65S3H
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

49A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H-PSOF

Série

NTBL050N65S

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

50mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

305W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

98nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

11.47mm

Normes/homologations

No

Largeur

2.4mm

Longueur

10.8mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor SuperFET III MOSFET est doté d'une famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.

Très faible charge de grille

Faible capacité de sortie efficace 909 pF

Testé à 100 % en avalanche

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