MOSFET canal N onsemi 49 A 650 V Enrichissement, 8 broches, H-PSOF NTBL050N65S
- Code commande RS:
- 221-6706
- Référence fabricant:
- NTBL050N65S3H
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
21,58 €
HT
25,90 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 1 940 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,79 € | 21,58 € |
| 20 - 198 | 9,30 € | 18,60 € |
| 200 + | 8,065 € | 16,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 221-6706
- Référence fabricant:
- NTBL050N65S3H
- Marque:
- onsemi
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 49A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | H-PSOF | |
| Série | NTBL050N65S | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 305W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 98nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 11.47mm | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 49A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier H-PSOF | ||
Série NTBL050N65S | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 305W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 98nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 11.47mm | ||
Largeur 2.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 49 A 650 V Enrichissement H-PSOF NTBL050N65S
- MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement H-PSOF SUPERFET III
- MOSFET canal N onsemi 470 A 60 V Enrichissement H-PSOF NTBLS0D7N06C
- MOSFET canal N onsemi 240 A 100 V Enrichissement H-PSOF FDBL AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 241.3 A 80 V N H-PSOF
- MOSFET canal N onsemi 49 A 40 V Enrichissement LFPAK NTMYS8D0N04C
- MOSFET canal N Infineon 49 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET canal N onsemi 49 A 40 V Enrichissement LFPAK NVMYS8D0N04C AEC-Q101
