MOSFET P Infineon 2.9 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-5073
- Référence fabricant:
- BSP613PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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| 2000 - 2000 | 0,559 € | 559,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-5073
- Référence fabricant:
- BSP613PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 130mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 10.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 40mm | |
| Largeur | 40mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 130mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 10.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 40mm | ||
Largeur 40mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 2,9 A - BSP613PH6327XTSA1
Ce MOSFET est un transistor à mode d'amélioration à canal P conçu pour la commutation de puissance à montage en surface dans des environnements exigeants. Il fournit une commutation contrôlée par grille pour les systèmes automobiles et industriels, offrant une combinaison de gestion de courant modérée et de tolérance de température pour prendre en charge le fonctionnement à température élevée et les configurations de carte compactes.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 60 V permet une commutation à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 2,9 A permet une distribution de charge stable
• Le Rds(on) maximum de 130 mΩ réduit les pertes de conduction
• La charge de grille typique de 22 nC simplifie la dimension de l'entraînement de grille
• La dissipation de puissance maximale de 10.8 W permet une gestion de puissance soutenue
• Plage de fonctionnement de -55 à 175 °C adaptée à de larges températures extrêmes
• Le courant de drain continu de 2,9 A permet une distribution de charge stable
• Le Rds(on) maximum de 130 mΩ réduit les pertes de conduction
• La charge de grille typique de 22 nC simplifie la dimension de l'entraînement de grille
• La dissipation de puissance maximale de 10.8 W permet une gestion de puissance soutenue
• Plage de fonctionnement de -55 à 175 °C adaptée à de larges températures extrêmes
Applications
• Convient à la commutation de charge dans l'électronique automobile
• Idéal pour les circuits de commande industriels à haute température
• Utilisé avec les régulateurs de puissance compacts sur les conceptions à montage en surface
• Peut être utilisé pour les dispositifs de protection contre la polarité et les courants inverses
• Utilisé pour les fonctions de gestion de batterie à courant faible à modéré
• Idéal pour les circuits de commande industriels à haute température
• Utilisé avec les régulateurs de puissance compacts sur les conceptions à montage en surface
• Peut être utilisé pour les dispositifs de protection contre la polarité et les courants inverses
• Utilisé pour les fonctions de gestion de batterie à courant faible à modéré
Quel type de montage est nécessaire pour l'assemblage?
Il utilise un boîtier à montage en surface à 4 broches SOT-223 compatible avec les processus de refusion SMT standard et les empreintes courantes de disposition de circuit imprimé.
Quelles sont les limites de tension de grille que les concepteurs doivent respecter?
La tension maximale admissible de la grille à la source est de 20 V, de sorte que les circuits d'entraînement de grille doivent rester dans ce seuil pour éviter la contrainte du dispositif.
Comment la tension directe affecte-t-elle la conception du système?
La tension directe d'environ 1,1 V permet de calculer la perte de puissance pendant la conduction et permet de déterminer les besoins de gestion thermique dans l'application.
Ce dispositif est-il adapté aux projets de qualité automobile?
Il répond aux critères AEC-Q101, ce qui le rend adapté à de nombreuses implémentations de modules électroniques automobiles.
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