MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 500 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, US Non
- Code commande RS:
- 178-7601
- Référence fabricant:
- FDG6303N
- Marque:
- onsemi
- Code commande RS:
- 178-7601
- Référence fabricant:
- FDG6303N
- Marque:
- onsemi
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 500mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 770mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 2mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 500mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 770mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 2mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
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