MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 500 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, US Non

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Code commande RS:
178-7601
Référence fabricant:
FDG6303N
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

500mA

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

US

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

770mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.64nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Tension directe Vf

800mV

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.25mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

2mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

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