MOSFET de puissance 2 canal N Isolé onsemi 680 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 Non

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354-4941
Référence fabricant:
FDC6303N
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

680mA

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

450mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.64nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

900mW

Tension directe Vf

830mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Hauteur

1mm

Longueur

3mm

Largeur

1.7mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistors FET numériques, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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