MOSFET P Vishay 4 A 12 V Enrichissement, 6 broches, US TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7264
- Référence fabricant:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7264
- Référence fabricant:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 34mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 34mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 2.2mm | ||
Largeur 2.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 12 V et une tension source de grille maximale de 10 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 34 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 2,8 W et d'un courant de drain continu de 4 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 1,5 et 4,5 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Performances ESD typiques 1 500 V.
Applications
• Téléphone cellulaire
DSC
• GPS
Commutateur de charge
MP3
Commutateur PA et commutateur de batterie pour les appareils portables
Console de jeux portable
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
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