MOSFET Vishay canal P, SO-8 19,7 A 30 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 9,8 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 5,7 W et d'un courant de drain continu de 19,7 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Ordinateurs de bureau
• Commutateurs de charge
• Ordinateurs portables

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg