MOSFET de puissance 1 canal Type P Simple Vishay 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Non
- Code commande RS:
- 180-8309
- Référence fabricant:
- IRF9Z24PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8309
- Référence fabricant:
- IRF9Z24PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.28Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 60W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.28Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 60W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 280 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 60 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Valeur nominale dV/dt dynamique
Facilité de mise en parallèle
Commutation rapide
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Protection contre les avalanches répétitives
Exigences de disque simples
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)
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