MOSFET de puissance 1 canal N Simple Vishay 6.2 A 600 V, 3 broches, JEDEC TO-220AB Non
- Code commande RS:
- 180-8656
- Référence fabricant:
- IRFBC40APBF
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 1,90 € | 9,50 € |
| 125 - 245 | 1,792 € | 8,96 € |
| 250 - 495 | 1,69 € | 8,45 € |
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- Code commande RS:
- 180-8656
- Référence fabricant:
- IRFBC40APBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 10.52mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 14.4mm | |
| Hauteur | 6.71mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 10.52mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 14.4mm | ||
Hauteur 6.71mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-220-3 à canal N, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 600 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 1,20 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 125 W. Le produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Coss efficaces spécifiés
• Capacité entièrement caractérisée et tension et courant d'avalanche
Amélioration de la porte, des avalanches et du dV/dt dynamique
Composant sans plomb (Pb)
• Une faible charge de grille Qg entraîne une simple exigence de commande
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Applications
Commutation de puissance haute vitesse
Alimentation à découpage (SMPS)
• Les onduleurs
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