MOSFET canal N DiodesZetex 15 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSSOP DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
182-6896
Référence fabricant:
DMN3020UTS-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TSSOP

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

50mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.4W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.02mm

Longueur

4.5mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible tension de seuil de porte Faible résistance à l'état passant Applications de grille protégée ESD Application de gestion de batterie Application de fonctions de gestion d'alimentation Convertisseurs CC-CC

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