MOSFET canal N DiodesZetex 15 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSSOP DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7013
- Référence fabricant:
- DMN3020UTS-13
- Marque:
- DiodesZetex
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3,03 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,121 € | 3,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7013
- Référence fabricant:
- DMN3020UTS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | TSSOP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.4W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.5mm | |
| Largeur | 3.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier TSSOP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.5mm | ||
Largeur 3.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible tension de seuil de porte Faible résistance à l'état passant Applications de grille protégée ESD Application de gestion de batterie Application de fonctions de gestion d'alimentation Convertisseurs CC-CC
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