MOSFET canal N DiodesZetex 1 A 20 V Enrichissement, 3 broches, X2-DFN DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7146
- Référence fabricant:
- DMN2450UFB4-7R
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,081 € | 20,25 € |
| 500 - 750 | 0,07 € | 17,50 € |
| 1000 - 1250 | 0,061 € | 15,25 € |
| 1500 - 1750 | 0,054 € | 13,50 € |
| 2000 + | 0,049 € | 12,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7146
- Référence fabricant:
- DMN2450UFB4-7R
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | X2-DFN | |
| Série | DMN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 700mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 900mW | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.05mm | |
| Hauteur | 350μm | |
| Largeur | 650μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier X2-DFN | ||
Série DMN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 700mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 900mW | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.05mm | ||
Hauteur 350μm | ||
Largeur 650μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Encombrement de seulement 0,6 mm2
- Treize fois plus petit que SOT23
Profil 0,4 mm - idéal pour les applications bas profil
Tension de seuil basse de la grille
Vitesse de commutation élevée
Grille protégée ESD
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique.
Applications
Commutateur de charge
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