MOSFET de puissance canal N Vishay 17.4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC E
- Code commande RS:
- 188-4876
- Référence fabricant:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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- 188-4876
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- SIHG21N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 235mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 235mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.87mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5.31mm | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 17,4 A - SIHG21N80AE-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension à canal N conçu pour les environnements industriels et de conversion de puissance. Il fonctionne comme un transistor à mode d'amélioration capable de gérer des tensions et des courants importants tout en étant monté par trou traversant dans un boîtier TO-247AC. Le dispositif est adapté aux systèmes qui exigent une commutation robuste des semi-conducteurs sur une large plage de températures ambiantes.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 800 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le drain continu de 17,4 A prend en charge un courant de charge important
• Rds(on) de 235 mΩ pour des pertes de conduction réduites
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• La charge de grille typique de 48 nC fournit une énergie de commutation prévisible
• La valeur nominale de la grille de 30 V permet des tensions de commande de grille courantes
• Le drain continu de 17,4 A prend en charge un courant de charge important
• Rds(on) de 235 mΩ pour des pertes de conduction réduites
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• La charge de grille typique de 48 nC fournit une énergie de commutation prévisible
• La valeur nominale de la grille de 30 V permet des tensions de commande de grille courantes
Applications
• Convient aux alimentations haute tension industrielles
• Idéal pour les étapes de commutation d'inverseur et d'entraînement de moteur
• Utilisé avec des topologies à commutation difficile dans les convertisseurs de puissance
• Peut être utilisé pour les amplificateurs audio de classe D nécessitant une haute tension
• Convient à l'électronique de l'énergie et des énergies renouvelables
• Idéal pour les étapes de commutation d'inverseur et d'entraînement de moteur
• Utilisé avec des topologies à commutation difficile dans les convertisseurs de puissance
• Peut être utilisé pour les amplificateurs audio de classe D nécessitant une haute tension
• Convient à l'électronique de l'énergie et des énergies renouvelables
Quelle plage de tension d'entraînement de grille puis-je utiliser en toute sécurité?
Le dispositif accepte une tension maximale grille-source de 30 V, de sorte que les circuits d'entraînement de grille doivent être conçus pour rester dans cette limite afin d'éviter les contraintes de grille.
Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?
Le transistor est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des installations industrielles à température élevée avec une gestion thermique appropriée.
Quelles sont les considérations de montage qui s'appliquent à la conception de circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier TO-247AC à trou traversant, de sorte que la disposition de la carte doit inclure des dispositions d'espacement des trous et de dissipation thermique adaptées à l'empreinte du boîtier.
Quel comportement de commutation dois-je attendre des caractéristiques de la grille?
Avec une charge de grille totale typique de 48 nC, les concepteurs peuvent estimer l'énergie de commutation et sélectionner des drivers de grille qui équilibrent la vitesse de commutation et les IEM pour leur topologie.
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