MOSFET 2 canal N STMicroelectronics 4 A 12 V, 8 broches, TSOT23-8L E-Fuse

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Code commande RS:
203-3436
Référence fabricant:
STEF512GR
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

TSOT23-8L

Série

E-Fuse

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.04Ω

Nombre d'éléments par circuit

2

Le fusible électronique double intégré de STMicroelectronics est conçu pour protéger les circuits sur sa sortie contre les événements de surintensité et de surtension, dans les applications nécessitant un fonctionnement à chaud et un contrôle de courant d'appel. Il intègre deux fusibles électroniques indépendants, un pour les rails de 5 V et un pour les rails de 12 V. La chute de tension de l'alimentation principale à la charge est très faible pendant les opérations normales, en raison de la très faible résistance à la mise sous tension des FET de puissance intégrés. Le STEF512GR limite le courant de sortie à la valeur de sécurité prédéfinie, lorsqu'une condition de surcharge se produit. Le temps de démarrage peut être ajusté par l'utilisateur pour chaque fusible électronique, via deux petits condensateurs à démarrage progressif, connectés aux broches correspondantes.

Protection thermique à verrouillage

Verrouillage de sous-tension d'entrée

Broche de désactivation SAS avec type de boîtier TSOT23-8L

Pince de surtension de sortie précise

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