MOSFET canal N onsemi 77 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L EliteSiC
- Code commande RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 333-415
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 77A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Série | EliteSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 32.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 312W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 77A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Série EliteSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 32.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 312W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Largeur 10.38mm | ||
Longueur 9.9mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET SiC ON Semiconductor est optimisé pour les applications de commutation à haut rendement, offrant de faibles pertes par conduction et des performances thermiques robustes. Sa conception avancée améliore la fiabilité des systèmes d'alimentation exigeants tout en conservant un boîtier compact. Ce dispositif garantit un fonctionnement efficace avec une dissipation d'énergie minimale.
Boîtier H PSOF8L
Conformité RoHS
Sans plomb
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