MOSFET canal N onsemi 77 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L EliteSiC
- Code commande RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
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- Marque:
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 77A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Série | EliteSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 32.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 312W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Normes/homologations | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 77A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Série EliteSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 32.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 312W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.38mm | ||
Normes/homologations Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Longueur 9.9mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET SiC ON Semiconductor est optimisé pour les applications de commutation à haut rendement, offrant de faibles pertes par conduction et des performances thermiques robustes. Sa conception avancée améliore la fiabilité des systèmes d'alimentation exigeants tout en conservant un boîtier compact. Ce dispositif garantit un fonctionnement efficace avec une dissipation d'énergie minimale.
Boîtier H PSOF8L
Conformité RoHS
Sans plomb
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