MOSFET canal N onsemi 77 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH
- Code commande RS:
- 277-053
- Référence fabricant:
- NXH015P120M3F1PTG
- Marque:
- onsemi
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 10%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
69,28 €
HT
83,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 18 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 69,28 € | - |
| 10 + | 62,35 € | 10% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 277-053
- Référence fabricant:
- NXH015P120M3F1PTG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 77A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | PIM18 | |
| Série | NXH | |
| Type de montage | Montage à clipser | |
| Nombre de broches | 18 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 198W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 211nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 77A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier PIM18 | ||
Série NXH | ||
Type de montage Montage à clipser | ||
Nombre de broches 18 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 198W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 211nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 15 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout conditionné dans un format F1. Il est conçu pour une conversion d'énergie à haut rendement, ce qui le rend idéal pour des applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.
Goupilles à emboîter
Sans plomb
Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 145 A 1.2 kV Enrichissement PIM18 NXH
- MOSFET canal N onsemi 42 A 1.2 kV Enrichissement PIM18 NXH
- MOSFET canal N onsemi 105 A 1.2 kV Enrichissement PIM18 NXH
- MOSFET canal N onsemi 129 A 1.2 kV Enrichissement PIM29 NXH
- MOSFET canal N onsemi 149 A 1.2 kV Enrichissement PIM34 NXH
- MOSFET canal N onsemi 38 A 1.2 kV Enrichissement PIM22 NXH
- MOSFET canal N onsemi 191 A 1.2 kV Enrichissement PIM36 NXH
- MOSFET canal N onsemi 105 A 1.2 kV Enrichissement PIM34 NXH