MOSFET canal N onsemi 77 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH

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277-053
Référence fabricant:
NXH015P120M3F1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

77A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

NXH

Type de Boitier

PIM18

Type de montage

Montage à clipser

Nombre de broches

18

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

211nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

198W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 15 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout conditionné dans un format F1. Il est conçu pour une conversion d'énergie à haut rendement, ce qui le rend idéal pour des applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.

Goupilles à emboîter

Sans plomb

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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