MOSFET canal N onsemi 42 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH
- Code commande RS:
- 277-056
- Référence fabricant:
- NXH030P120M3F1PTG
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 277-056
- Référence fabricant:
- NXH030P120M3F1PTG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | PIM18 | |
| Série | NXH | |
| Type de montage | Montage à clipser | |
| Nombre de broches | 18 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 38.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier PIM18 | ||
Série NXH | ||
Type de montage Montage à clipser | ||
Nombre de broches 18 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 38.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 30 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout logé dans un boîtier F1. Ce module est conçu pour une conversion d'énergie à haut rendement et est idéal pour des applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.
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