MOSFET canal N onsemi 38 A 1.2 kV Enrichissement, 22 broches, PIM22 NXH

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277-054
Référence fabricant:
NXH030F120M3F1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

38A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

PIM22

Série

NXH

Type de montage

Montage à clipser

Nombre de broches

22

Résistance Drain Source maximum Rds

38.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

34.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le module de puissance ON Semiconductor contient un pont complet MOSFET SiC de 30 mΩ, 1200V et une thermistance, avec un DBC Al2O3 (Direct Bonded Copper) dans un boîtier F1. Ce module haute performance est conçu pour une conversion efficace de l'énergie et est idéal pour des applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.

Sans plomb

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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