MOSFET canal N onsemi 129 A 1.2 kV Enrichissement, 29 broches, PIM29 NXH

Sous-total (1 paquet de 1 unité)*

141,08 €

HT

169,30 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 20 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Paquet(s)
le paquet
1 +141,08 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
220-552
Référence fabricant:
NXH008T120M3F2PTHG
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

129A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

PIM29

Série

NXH

Nombre de broches

29

Résistance Drain Source maximum Rds

11.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

454nC

Dissipation de puissance maximum Pd

371W

Tension directe Vf

4.8V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

42.5mm

Longueur

56.7mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET ON Semiconductor est un module de puissance contenant un MOSFET TNPC SiC 8 m ohm / 1200 V et une thermistance avec HPS DBC dans un boîtier F2.

Sans halogène

Conforme RoHS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.