MOSFET canal N onsemi 191 A 1.2 kV Enrichissement, 36 broches, PIM36 NXH
- Code commande RS:
- 220-575
- Référence fabricant:
- NXH006P120M3F2PTHG
- Marque:
- onsemi
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Paquet(s) | le paquet |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-575
- Référence fabricant:
- NXH006P120M3F2PTHG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 191A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | PIM36 | |
| Série | NXH | |
| Nombre de broches | 36 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 622nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 556W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 7.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 51mm | |
| Hauteur | 16.5mm | |
| Normes/homologations | Halide Free, RoHS, Pb-Free | |
| Largeur | 62.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 191A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier PIM36 | ||
Série NXH | ||
Nombre de broches 36 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 622nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 556W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 7.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 51mm | ||
Hauteur 16.5mm | ||
Normes/homologations Halide Free, RoHS, Pb-Free | ||
Largeur 62.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de ON Semiconductor est un module de puissance contenant un demi-pont MOSFET SiC de 6 m ohm / 1200 V et une thermistance avec HPS DBC dans un boîtier F2.
Sans halogène
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