MOSFET canal N onsemi 105 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

78,60 €

HT

94,32 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 27 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 978,60 €
10 +70,74 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
277-052
Référence fabricant:
NXH010P120M3F1PTG
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

105A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

PIM18

Série

NXH

Type de montage

Montage à clipser

Nombre de broches

18

Résistance Drain Source maximum Rds

24.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

6V

Dissipation de puissance maximum Pd

272W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

314nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 10 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout intégré dans un boîtier F1. Ce module est bien adapté aux applications de haute performance, y compris les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.

Goupilles à emboîter

Sans plomb

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.