MOSFET canal N onsemi 145 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH

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277-050
Référence fabricant:
NXH008P120M3F1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

145A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

NXH

Type de Boitier

PIM18

Type de montage

Montage à clipser

Nombre de broches

18

Résistance Drain Source maximum Rds

10.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

34.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

419nC

Tension directe Vf

6.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 8 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout logé dans un boîtier F1. Ce module est conçu pour des applications d'alimentation à haut rendement, ce qui le rend idéal pour les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.

Goupilles à emboîter

Sans plomb

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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