MOSFET canal N onsemi 145 A 1.2 kV Enrichissement, 18 broches, PIM18 NXH

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277-050
Référence fabricant:
NXH008P120M3F1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

145A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

NXH

Type de Boitier

PIM18

Type de montage

Montage à clipser

Nombre de broches

18

Résistance Drain Source maximum Rds

10.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

6.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

34.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

419nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le module de puissance ON Semiconductor contient un demi-pont MOSFET SiC de 8 mΩ, 1200V et une thermistance, le tout logé dans un boîtier F1. Ce module est conçu pour des applications d'alimentation à haut rendement, ce qui le rend idéal pour les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les stations de recharge de véhicules électriques et les systèmes d'alimentation industriels.

Goupilles à emboîter

Sans plomb

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

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