MOSFET canal N onsemi 149 A 1.2 kV Enrichissement, 34 broches, PIM34 NXH

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Code commande RS:
220-577
Référence fabricant:
NXH007F120M3F2PTHG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

149A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

PIM34

Série

NXH

Nombre de broches

34

Résistance Drain Source maximum Rds

10mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

6V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

34.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

407nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET de ON Semiconductor est un module de puissance contenant un demi-pont MOSFET SiC de 7 m ohm / 1200 V et une thermistance avec HPS DBC dans un boîtier F2.

Sans halogène

Conforme RoHS

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