MOSFET canal N onsemi 37 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L NTBL
- Code commande RS:
- 220-564
- Référence fabricant:
- NTBL075N065SC1
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
7,56 €
HT
9,07 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,56 € |
| 10 - 99 | 6,82 € |
| 100 - 499 | 6,28 € |
| 500 - 999 | 5,83 € |
| 1000 + | 4,73 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-564
- Référence fabricant:
- NTBL075N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 37A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | NTBL | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 85mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 139W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22.6V | |
| Tension directe Vf | 4.4V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 37A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série NTBL | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 85mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 139W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 59nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22.6V | ||
Tension directe Vf 4.4V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Largeur 10.38mm | ||
Longueur 9.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'ON Semiconductor utilise une toute nouvelle technologie qui offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état ON et la taille compacte du circuit garantissent une capacité et charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
Commutation à grande vitesse avec une faible capacité
Conforme RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V Enrichissement HPSOF-8L NTBL
- MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V Enrichissement HPSOF-8L EliteSiC
- MOSFET canal N onsemi 77 A 650 V Enrichissement HPSOF-8L EliteSiC
- MOSFET canal N onsemi 58 A 1200 V Enrichissement HPSOF-8L NTB AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 36 A 650 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement PQFN FCMT