MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L NTBL
- Code commande RS:
- 220-562
- Référence fabricant:
- NTBL060N065SC1
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 220-562
- Référence fabricant:
- NTBL060N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | NTBL | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 74nC | |
| Tension directe Vf | 4.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série NTBL | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 74nC | ||
Tension directe Vf 4.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.38mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 9.9mm | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'ON Semiconductor utilise une toute nouvelle technologie qui offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état ON et la taille compacte du circuit garantissent une capacité et charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
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