MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L EliteSiC
- Code commande RS:
- 333-416
- Référence fabricant:
- NTBL032N065M3S
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 333-416
- Référence fabricant:
- NTBL032N065M3S
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | EliteSiC | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Normes/homologations | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série EliteSiC | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 9.9mm | ||
Largeur 10.38mm | ||
Normes/homologations RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET SiC ON Semiconductor est conçu pour une commutation de puissance efficace, offrant de faibles pertes par conduction et des performances thermiques améliorées. Sa structure compacte garantit un fonctionnement fiable dans les applications de haute puissance tout en minimisant l'encombrement. Ce dispositif est optimisé pour l'efficacité énergétique, réduisant ainsi la dissipation de puissance globale du système.
Boîtier H PSOF8L
Conformité RoHS
Sans plomb
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