MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V Enrichissement, 8 broches, HPSOF-8L EliteSiC
- Code commande RS:
- 333-416
- Référence fabricant:
- NTBL032N065M3S
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Série | EliteSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.38mm | |
| Normes/homologations | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 9.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Série EliteSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.38mm | ||
Normes/homologations RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 9.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET SiC ON Semiconductor est conçu pour une commutation de puissance efficace, offrant de faibles pertes par conduction et des performances thermiques améliorées. Sa structure compacte garantit un fonctionnement fiable dans les applications de haute puissance tout en minimisant l'encombrement. Ce dispositif est optimisé pour l'efficacité énergétique, réduisant ainsi la dissipation de puissance globale du système.
Boîtier H PSOF8L
Conformité RoHS
Sans plomb
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